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宿主脑阔疼 偷名 654 字 2022-11-11

先是找到从三星购买的lc颗粒硅板,然后开始下一步,下一步,再下一步。

制作闪存的颗粒硅板分为三种技术,从便宜到贵分别是tlc、lc、slc,分别是能写入3个0和1,2个0和1,1个0和1。

贵的原因很简单,只写1个0和1制的slc颗粒结构简单,读写超快,但同一个单位存储容量内需要的颗粒最多,制程更先进,出错低。

所以最贵。

简单所以贵。

苏小木之所以只用了lc的,并不是说没有钱,而是不需要。

苹果用的nv闪存还使用过tlc颗粒来着。

对他一个自学者来说,其实用tlc就很不错了,要9美元32gb的成本来着。

扯远了,苏小木按照脑阔里面的步骤一步一步的往下顺了下去。

ec虽然慢慢日薄西山,但也不是说硬件落伍,所以其实这三个规格的闪存制作难度差距没有太大。

nv的主要难点在良率上,对苏小木来说反倒都不是问题。1

六点钟,再次完成了一波制作,毕竟大多数都是成品原料,老实说,难度并不是特别高,无非是手不熟尔。

这次倒是没烧,但也没成功。

最后苏小木拍了拍手,道,“哈,看来今天天气不行,不适合进行复杂难度工作。”

同苏荷一块回的家,坐的苏荷的车。

苏荷一看苏小木这风轻云淡的样子,就知道没成功,但偏偏还要扎一下他的心。

“小木总,成功啦?”